近日，广东致能科技团队与西安电子科技大学广州研究院/广州第三代半导体创新中心郝跃院士、张进成教授团队等等合作攻关，通过采用广东致能科技有限公司的薄缓冲层AlGaN / GaN外延片，基于广州第三代半导体创新中心中试平台，成功在6英寸蓝宝石衬底上实现了1700V GaN HEMTs器件。 相关研究成果于2024年1月发表于IEEE Electron Device Letters期刊。X. Li et al., “1700 V High-Performance GaN HEMTs on 6-inc

超强超短激光具有广泛的应用范围，包括基础物理、国家安全、工业服务和医疗保健。在基础物理中，这种激光已成为研究强场激光物理的强大工具，特别是用于激光驱动辐射源、激光粒子加速、真空量子电动力学等。 激光峰值功率从1996年的1皮瓦“Nova”到2017年的10皮瓦“SULF”和2019年的10皮瓦“ELI-NP”急剧增加，是由于大孔径激光器的增益介质发生了变化（从掺钕玻璃到钛：蓝宝石晶体）。这种转变将高能激光器的脉冲持续时间从约500飞秒（fs）缩短到约25 fs。 然而，钛蓝宝石超强超短激光器的